એલએડીપી -3 માઇક્રોવેવ ઇલેક્ટ્રોન સ્પિન રેઝોનન્સ ઉપકરણ
ઇલેક્ટ્રોન સ્પિન રેઝોનન્સને ઇલેક્ટ્રોન પેરામેગ્નેટિક રેઝોનન્સ પણ કહેવામાં આવે છે, જે ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં અનુરૂપ આવર્તન ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક તરંગ દ્વારા અસર પામે છે ત્યારે ઇલેક્ટ્રોન સ્પિન ચુંબકીય ક્ષણના ચુંબકીય energyર્જા સ્તરો વચ્ચેના પડઘો સંક્રમણની ઘટનાનો સંદર્ભ આપે છે. આ ઘટના અનપેઇર્ડ સ્પિન ચુંબકીય ક્ષણો (દા.ત. ક્યૂપ્ડ ઇલેક્ટ્રોન ધરાવતા સંયોજનો) સાથે પેરામેગ્નેટિક સામગ્રીમાં જોઇ શકાય છે. તેથી, પદાર્થના માઇક્રોસ્ટ્રક્ચર વિશેની માહિતી મેળવવા માટે, પદાર્થના અસ્પષ્ટ ઇલેક્ટ્રોન અને આસપાસના પરમાણુઓ સાથેની તેમની ક્રિયાપ્રતિક્રિયાને શોધવા માટે, ઇલેક્ટ્રોન સ્પિન રેઝોનન્સ એ એક મહત્વપૂર્ણ પદ્ધતિ છે. આ પદ્ધતિમાં ઉચ્ચ સંવેદનશીલતા અને રીઝોલ્યુશન છે, અને તેનો ઉપયોગ નમૂનાના માળખાને નુકસાન કર્યા વિના અને રાસાયણિક પ્રતિક્રિયામાં કોઈ દખલ કર્યા વિના વિગતવાર સામગ્રીનું વિશ્લેષણ કરવા માટે કરી શકાય છે. હાલમાં, તેનો ઉપયોગ ભૌતિકશાસ્ત્ર, રસાયણશાસ્ત્ર, જીવવિજ્ .ાન અને દવાઓના સંશોધન માટે વ્યાપકપણે થાય છે.
પ્રયોગો
1. ઇલેક્ટ્રોન સ્પિન રેઝોનન્સ ઘટનાનો અભ્યાસ અને સ્વીકારો.
2. લેન્ડેનું માપન જી-ડી.પી.પી.એચ. નમૂનાના પરિબળ.
3. ઇપીઆર સિસ્ટમમાં માઇક્રોવેવ ડિવાઇસેસનો ઉપયોગ કેવી રીતે કરવો તે જાણો.
Res. રેઝનન્ટ પોલાણની લંબાઈ બદલીને સ્થાયી તરંગને સમજો અને વેવગાઇડ તરંગલંબાઇ નક્કી કરો.
5. રેઝનન્ટ પોલાણમાં સ્થાયી તરંગ ક્ષેત્રના વિતરણને માપો અને વેવગાઇડ તરંગલંબાઇ નક્કી કરો.
સ્પષ્ટીકરણો
| માઇક્રોવેવ સિસ્ટમ | |
| શોર્ટ સર્કિટ પિસ્ટન | ગોઠવણ શ્રેણી: 30 મીમી |
| નમૂના | ટ્યુબમાં DPPH પાવડર (પરિમાણો: Φ2 × 6 મીમી) |
| માઇક્રોવેવ આવર્તન મીટર | માપનની શ્રેણી: 8.6 ગીગાહર્ટઝ ~ 9.6 ગીગાહર્ટઝ |
| વેવગાઇડ પરિમાણો | આંતરિક: 22.86 મીમી × 10.16 મીમી (ઇઆઇએ: ડબલ્યુઆર 90 અથવા આઈસી: આર 100) |
| ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટ | |
| ઇનપુટ વોલ્ટેજ અને ચોકસાઈ | મહત્તમ: V 20 વી, 1% ± 1 અંક |
| વર્તમાન શ્રેણી અને ચોકસાઈને ઇનપુટ કરો | 0 ~ 2.5 એ, 1% ± 1 અંક |
| સ્થિરતા | . 1 × 10-3+5 એમએ |
| ચુંબકીય ક્ષેત્રની શક્તિ | 0 ~ 450 એમટી |
| સ્વીપ ક્ષેત્ર | |
| આઉટપુટ વોલ્ટેજ | . 6 વી |
| આઉટપુટ વર્તમાન શ્રેણી | 0.2 ~ 0.7 એ |
| તબક્કો ગોઠવણ શ્રેણી | ≥ 180 ° |
| આઉટપુટ સ્કેન કરો | બીએનસી કનેક્ટર, સો-ટૂથ વેવ આઉટપુટ 1 ~ 10 વી |
| સોલિડ સ્ટેટ માઇક્રોવેવ સિગ્નલ સ્રોત | |
| આવર્તન | 8.6 ~ 9.6 ગીગાહર્ટઝ |
| ફ્રીક્વન્સી ડ્રિફ્ટ | ± × 5 × 10-4/ 15 મિનિટ |
| વર્કિંગ વોલ્ટેજ | . 12 વીડીસી |
| આઉટપુટ પાવર | > સમાન કંપનવિસ્તાર મોડ હેઠળ 20 મેગાવોટ |
| ઓપરેશન મોડ અને પરિમાણો | સમાન કંપનવિસ્તાર |
| આંતરિક ચોરસ-તરંગ મોડ્યુલેશન | |
પુનરાવર્તન આવર્તન: 1000 હર્ટ્ઝ
ચોકસાઈ:% 15%
સ્કેવનેસ: <± 20 ％ વોલ્ટેજ સ્ટેન્ડિંગ વેવ રેશિયો <1.2 વેવેગાઇડ ડાયમેન્શનસિનર: 22.86 મીમી .1 10.16 મીમી (ઇઆઇએ: ડબલ્યુઆર 90 અથવા આઈઇસી: આર 100)
ભાગોની સૂચિ
| વર્ણન | ક્યુટી |
| મુખ્ય નિયંત્રક | 1 |
| ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટ | 1 |
| આધાર આધાર | 3 |
| માઇક્રોવેવ સિસ્ટમ | 1 સેટ (વિવિધ માઇક્રોવેવ ઘટકો, સ્રોત, ડિટેક્ટર, વગેરે સહિત) |
| ડીપીપીએચ નમૂના | 1 |
| કેબલ | 7 |
| સૂચનાત્મક માર્ગદર્શિકા | 1 |
