LEEM-3 ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ મેપિંગ ઉપકરણ

ટૂંકું વર્ણન:

ઇજનેરી ટેક્નોલોજીમાં, ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડમાં ઇલેક્ટ્રોન અથવા ચાર્જ્ડ કણોના ગતિના કાયદાનો અભ્યાસ કરવા માટે ઇલેક્ટ્રોડ સિસ્ટમના ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્રના વિતરણને જાણવું ઘણીવાર જરૂરી છે.ઉદાહરણ તરીકે, ઓસિલોસ્કોપ ટ્યુબમાં ઇલેક્ટ્રોન બીમના ફોકસિંગ અને ડિફ્લેક્શનનો અભ્યાસ કરવા માટે, ઓસિલોસ્કોપ ટ્યુબમાં ઇલેક્ટ્રોડના ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્રના વિતરણને જાણવું જરૂરી છે.ઇલેક્ટ્રોન ટ્યુબમાં, આપણે ઇલેક્ટ્રોનની હિલચાલ પર નવા ઇલેક્ટ્રોડ્સની રજૂઆતના પ્રભાવનો અભ્યાસ કરવાની જરૂર છે, અને આપણે ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્રના વિતરણને પણ જાણવાની જરૂર છે.સામાન્ય રીતે કહીએ તો, વિદ્યુત ક્ષેત્રના વિતરણને શોધવા માટે, વિશ્લેષણાત્મક પદ્ધતિ અને અનુકરણ પ્રયોગ પદ્ધતિનો ઉપયોગ કરી શકાય છે.પરંતુ માત્ર થોડા સરળ કેસોમાં વિદ્યુત ક્ષેત્રનું વિતરણ વિશ્લેષણાત્મક પદ્ધતિ દ્વારા મેળવી શકાય છે.સામાન્ય અથવા જટિલ ઇલેક્ટ્રોડ સિસ્ટમ માટે, તે સામાન્ય રીતે સિમ્યુલેશન પ્રયોગ દ્વારા નક્કી કરવામાં આવે છે.સિમ્યુલેશન પ્રયોગ પદ્ધતિનો ગેરલાભ એ છે કે ચોકસાઇ ઊંચી નથી, પરંતુ સામાન્ય એન્જિનિયરિંગ ડિઝાઇન માટે, તે જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે.