LEEM-3 ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ મેપિંગ ઉપકરણ

ટૂંકું વર્ણન:

એન્જિનિયરિંગ ટેકનોલોજીમાં, ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્રમાં ઇલેક્ટ્રોન અથવા ચાર્જ થયેલા કણોના ગતિના નિયમનો અભ્યાસ કરવા માટે ઇલેક્ટ્રોડ સિસ્ટમના ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર વિતરણને જાણવું ઘણીવાર જરૂરી હોય છે. ઉદાહરણ તરીકે, ઓસિલોસ્કોપ ટ્યુબમાં ઇલેક્ટ્રોન બીમના ફોકસિંગ અને ડિફ્લેક્શનનો અભ્યાસ કરવા માટે, ઓસિલોસ્કોપ ટ્યુબમાં ઇલેક્ટ્રોડના ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્રનું વિતરણ જાણવું જરૂરી છે. ઇલેક્ટ્રોન ટ્યુબમાં, આપણે ઇલેક્ટ્રોનની ગતિ પર નવા ઇલેક્ટ્રોડના પરિચયના પ્રભાવનો અભ્યાસ કરવાની જરૂર છે, અને આપણે ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્રનું વિતરણ પણ જાણવાની જરૂર છે. સામાન્ય રીતે કહીએ તો, ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્રનું વિતરણ શોધવા માટે, વિશ્લેષણાત્મક પદ્ધતિ અને સિમ્યુલેશન પ્રયોગ પદ્ધતિનો ઉપયોગ કરી શકાય છે. પરંતુ ફક્ત થોડા સરળ કિસ્સાઓમાં વિશ્લેષણાત્મક પદ્ધતિ દ્વારા ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર વિતરણ મેળવી શકાય છે. સામાન્ય અથવા જટિલ ઇલેક્ટ્રોડ સિસ્ટમ માટે, તે સામાન્ય રીતે સિમ્યુલેશન પ્રયોગ દ્વારા નક્કી કરવામાં આવે છે. સિમ્યુલેશન પ્રયોગ પદ્ધતિનો ગેરલાભ એ છે કે ચોકસાઇ ઊંચી નથી, પરંતુ સામાન્ય એન્જિનિયરિંગ ડિઝાઇન માટે, તે જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે.